STGWT28IH125DF

STMicroelectronics
511-STGWT28IH125DF
STGWT28IH125DF

Fabr.:

Descripción:
IGBT 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 300
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,38 € 828,00 €
1,33 € 3.591,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
1.25 kV
2.65 V
- 20 V, 20 V
60 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT28IH125DF
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.: 30 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 300
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 7 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT Trench Gate Field-Stop STGWT28IH125DF

STGWT28IH125DF de STMicroelectronics son IGBT desarrollados con una estructura Trench Gate Field-Stop avanzada patentada. Se ha optimizado el rendimiento en pérdidas de conducción y conmutación. Se incluye en el mismo paquete un diodo de giro libre con caída de tensión directa baja. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para cualquier aplicación resonante y de conmutación suave.
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