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Nexperia MOSFET Trench de canal P PMVxx

Los MOSFET Trench de canal P deNXP son transistores de efecto de campo (FET) con modo de mejora en un paquete plástico de pequeño tamaño SOT23 (SMD). Emplean la tecnología MOSFET Trench y ofrecen una tensión de umbral baja y una conmutación muy rápida. Estos MOSFET son perfectos para aplicaciones tales como controladores de relé, controladores de líneas de alta velocidad, conmutadores de carga de lateral bajo y circuitos de conmutación.

Características

  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • 2kV ESD protected
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 1096mW
  • Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW

Aplicaciones

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side load switch
  • Switching circuits

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Número de referencia Hoja de datos Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Pd (disipación de potencia)
PMV50XPR PMV50XPR Hoja de datos 4.4 A 48 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 7.7 nC 1.096 W
PMV33UPE,215 PMV33UPE,215 Hoja de datos 5.3 A 30 mOhms 950 mV - 8 V, 8 V 14.7 nC 980 mW
PMV75UP,215 PMV75UP,215 Hoja de datos 3.2 A 77 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 5 nC 1 W
PMV50XPAR PMV50XPAR Hoja de datos 3.6 A 60 mOhms 1 V - 10 V, 10 V 7.7 nC 1.096 W
Publicado: 2015-03-10 | Actualizado: 2023-02-07