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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 10.14 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-GAN041-650WSBQ

Fabr. N.º:

GAN041-650WSBQ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

FET de GaN SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

GAN041-650WSBQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	10,14 €	10,14 €
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	6,15 €	615,00 €
	6,08 €	3.040,00 €
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	8,94 €	268,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	SOT-429-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	47.2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	187 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de parte #:	934661752127
Peso unitario:	123 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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El FET de nitruro de galio (GaN) GAN041-650WSB de Nexperia ofrece una tensión de drenaje-fuente de 650 V, una corriente nominal de drenaje de47,2 A y una resistencia máxima de 41 m Ω. El GAN041 viene en un paquete TO-247 y es un dispositivo normalmente apagado que combina la tecnología GaN HEMT H2 de alta tensión y las tecnologías MOSFET de silicio de baja tensión. La combinación de estas tecnologías ofrece una fiabilidad y un rendimiento superiores. El FET GaN GAN041-650WSB de Nexperia es ideal para PFC Totem-Pole sin puente, controladores de servomotores y convertidores de conmutación rápida y gradual destinados a aplicaciones industriales y sistemas alimentación de dispositivos de comunicación de datos.