MOSFET Trench de canal P de 20 V BSH205G2

El MOSFET Trench de canal P de NXP es un transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora en un paquete plástico de pequeño tamaño SOT23 (SMD). Emplea la tecnología MOSFET Trench y ofrece una tensión de umbral baja y una conmutación muy rápida. Este MOSFET es perfecto para aplicaciones tales como controladores de relé, controladores de líneas de alta velocidad y circuitos de conmutación.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.6A
Hoja de datos
2.351En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A
Hoja de datos
38.699Fecha prevista: 08/02/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A
Hoja de datos
29.979Fecha prevista: 08/02/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel