Nexperia MOSFET Trench de canal P de 20 V BSH205G2

El MOSFET Trench de canal P de NXP es un transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora en un paquete plástico de pequeño tamaño SOT23 (SMD). Emplea la tecnología MOSFET Trench y ofrece una tensión de umbral baja y una conmutación muy rápida. Este MOSFET es perfecto para aplicaciones tales como controladores de relé, controladores de líneas de alta velocidad y circuitos de conmutación.

Features

  • Low threshold voltage
  • Trench MOSFET technology
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 890mW

Aplicaciones

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side loadswitch
  • Switching circuits