ASFET para avalanchas repetitivas

Los ASFET para avalanchas repetitivas de Nexperia ofrecen una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 VDS a 60 VDS, un intervalo de corriente de drenaje comprendido entre 16 ID y 40ID, y una carga de compuerta-drenaje de 7,9 QGD. Los ASFET cuentan con la homologación completa para automoción AEC-Q101 y ofrecen una gran solidez, fiabilidad y tecnología de paquete de clips de cobre LFPAK. Los ASFET para avalanchas repetitivas de Nexperia son ideales para sistemas de automoción de 12 V, 24 V y 48 V, topologías de avalancha repetitiva y aplicaciones de control de motores.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Nexperia MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. 1.168En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. 1.023En existencias
3.000Fecha prevista: 29/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. 331En existencias
1.500Fecha prevista: 28/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel