STMicroelectronics IGBT

Resultados: 205
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB-4 Tube
STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG
STMicroelectronics IGBT Automotive trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed IGBT freewheeling diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

L9965P Reel
STMicroelectronics GWA75H65DRFB2AG
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Tube
STMicroelectronics STG200G65FD8AG
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650V 200A high-efficiency M series IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 172
Múlt.: 1

STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGB25N36LZAG
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics STGFW50HP65FB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 300

Tube
STMicroelectronics STGH50H65B2-7AG
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Reel
STMicroelectronics STGP8H60DF2
STMicroelectronics IGBT No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

STMicroelectronics STGWA30H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V Tube
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGF30H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

- 20 V, 20 V Tube
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGB6M65DF2 Reel
STMicroelectronics IGBT N Ch 10A 600V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 60 W - 55 C + 150 C STGD10NC60H Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 20 A 30 W - 55 C + 175 C STGF10M65DF2