STGF30H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGF30H65DFB2
STGF30H65DFB2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,762 € 762,00 €
0,759 € 1.518,00 €
0,758 € 7.580,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
- 20 V, 20 V
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99