STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 2000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,429 € 858,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.: 20 A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 250 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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