STMicroelectronics FET de GaN

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 711En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 327En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
1.000Fecha prevista: 08/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics FET de GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Plazo producción 62 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W