Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

SGT140R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT140R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT140R70ILB
Price: 4.27 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-SGT140R70ILB

Fabr. N.º:

SGT140R70ILB

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

FET de GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

SGT140R70ILB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics SGT140R70ILB

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 1.000

Fecha prevista: 12/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 18

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,27 €	4,27 €
	2,98 €	29,80 €
	2,24 €	224,00 €
	1,99 €	995,00 €
	1,95 €	1.950,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,65 €	4.950,00 €
24.000	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-8
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	140 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, + 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	3.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	113 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	SGT
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado:	3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SGT140R70ILB Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.