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SGT190R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT190R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT190R70ILB
Price: 1.14 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SGT190R70ILB

Fabr. N.º:

SGT190R70ILB

Fabr.:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	FET de GaN
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-8
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, + 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	2.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	83 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Empaquetado:	Reel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	SGT
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado:	1.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	1.4 ns