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SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 6.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SGT070R70HTO

Fabr. N.º:

SGT070R70HTO

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	6,71 €	6,71 €
	4,81 €	48,10 €
	4,20 €	420,00 €
	4,08 €	2.040,00 €
	4,00 €	4.000,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)
	3,90 €	7.020,00 €
3.600	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-LL-11
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Id: corriente de drenaje continuo:	26 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	70 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, + 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	8.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	231 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	SGT
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado:	7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	697 mg

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode transistor designed for demanding power conversion applications. Built on Gallium Nitride (GaN) technology, the STMicro SGT070R70HTO offers superior switching performance with a low on-resistance of 70mΩ and minimal gate charge, enabling high efficiency and reduced losses in high-frequency operations. With a 700V drain-source voltage rating, the transistor is ideal for applications such as power supplies, motor drives, and renewable energy systems. The device features robust thermal performance and is housed in a compact TO-LL package, making it suitable for designs where space and heat management are critical. Fast switching capability and low input capacitance contribute to improved system efficiency and power density, positioning the SGT070R70HTO as a strong choice for next-generation power electronics.