EPC FET de GaN

Resultados: 56
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Modo canal
Nombre comercial
EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
1.750En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
Hoja de datos
5.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
Hoja de datos
8.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
14.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
14.784En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
Hoja de datos
2.455En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
Hoja de datos
990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
Hoja de datos
4.677En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
Hoja de datos
12.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
6.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Hoja de datos
1.960En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Hoja de datos
12.470En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
Hoja de datos
4.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
Hoja de datos
12.462En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
Hoja de datos
12.467En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Hoja de datos
9.130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Hoja de datos
12.440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Hoja de datos
20.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Hoja de datos
12.227En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 0.5 A 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
Hoja de datos
7.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
Hoja de datos
5.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
Hoja de datos
12.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
Hoja de datos
12.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
Hoja de datos
2.480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET