EPC2035

EPC
65-EPC2035
EPC2035

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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En existencias: 7.164

Existencias:
7.164 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,81 € 1,81 €
1,16 € 11,60 €
0,778 € 77,80 €
0,617 € 308,50 €
0,566 € 566,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,509 € 1.272,50 €
0,459 € 2.295,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-4
N-Channel
1 Channel
60 V
1.7 A
45 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
880 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso unitario: 1,300 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.