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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/35A
Hoja de datos
17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
1.901En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC Controlador de puerta Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
Hoja de datos
1.591En existencias
3.000Fecha prevista: 29/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Controlador de puerta EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
Hoja de datos
2.061En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
Hoja de datos
9.520En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
12.468En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
6.047En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Hoja de datos
12.523En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
Hoja de datos
12.489Fecha prevista: 09/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 200V/30A
Hoja de datos
26En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/65A
Hoja de datos
20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter
Hoja de datos
8En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
Hoja de datos
1.941En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Hoja de datos
58En existencias
15.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
Hoja de datos
1En existencias
20Fecha prevista: 08/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
Hoja de datos
11.490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Hoja de datos
2.087En existencias
15.000Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
Hoja de datos
12.180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
Hoja de datos
4.334En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
Hoja de datos
10.829En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 150V/25A
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1