Todos los resultados (137)

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
EPC Controlador de puerta Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 5.840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 100 V, 22 A Half-Bridge Development Board Using EPC23102 GaN ePower Stage IC 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 15 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC23104 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 35 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2304 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1.750En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter featuring EPC23104 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 40 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2305 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm 5.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95 2.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Controlador de puerta EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage 2.497En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 8.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14.784En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 150 V, 25 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2305 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 100 V, 65 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2361 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 48 V/54 V Input to 12 V, 50 A Output Dual-Phase Synchronous Buck Converter Reference Design Board 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 2 kW 48 V/14 V, 140 A Bi-directional Power Module Evaluation Board featuring EPC2302 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2.455En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 4.677En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 12.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 6.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 1.960En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 12.470En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500