EPC2361

EPC
65-EPC2361
EPC2361

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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En existencias: 10.177

Existencias:
10.177 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
7,83 € 7,83 €
5,35 € 53,50 €
3,95 € 395,00 €
3,92 € 1.960,00 €
3,63 € 3.630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
3,33 € 9.990,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
80 V
133 A
1 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
28 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso unitario: 35,200 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.