CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

Resultados: 30
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
651En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.148En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
345En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.530En existencias
4.000Fecha prevista: 02/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.827En existencias
1.250Fecha prevista: 19/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
179En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
594En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
824En existencias
1.000Fecha prevista: 26/02/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
176En existencias
240Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.004En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
222En existencias
720Fecha prevista: 30/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
153En existencias
240Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
57En existencias
1.000Fecha prevista: 16/02/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 294 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
255En existencias
240Fecha prevista: 20/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
422En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
68En existencias
240Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
173En existencias
960Fecha prevista: 07/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
159En existencias
240Fecha prevista: 12/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
80En existencias
480Fecha prevista: 05/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 220 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC