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IMBG120R350M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R350M1HXT
Price: 4.91 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMBG120R350M1HXT

Fabr. N.º:

IMBG120R350M1HXTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos:

IMBG120R350M1HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,91 €	4,91 €
	3,28 €	32,80 €
	2,54 €	254,00 €
	2,25 €	1.125,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,00 €	2.000,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	4.7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	468 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.1 V
Qg (carga de compuertas):	5.9 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	65 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.2 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	0.7 ns
Serie:	CoolSiC 1200V
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6.3 ns
Alias de parte #:	IMBG120R350M1H SP004463802

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.