Todos los resultados (137)

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 500
Bobina: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 12.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 500
Bobina: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 500
Bobina: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 12.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 12.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 80V 15A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 12.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 12.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 500
Bobina: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 12.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500