EPC2221

EPC
65-EPC2221
EPC2221

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 12500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
1,03 € 12.875,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA
N - Channel
1 Channel
100 V
5 A
58 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
0.85 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Empaquetado: Reel
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Peso unitario: 2,500 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290040
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.