EPC2102

EPC
65-EPC2102
EPC2102

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 2500   Múltiples: 500
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 500)
4,73 € 11.825,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-75
N-Channel
2 Channel
60 V
30 A
4.9 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
8 nC, 11 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Empaquetado: Reel
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tipo: Half Bridge
Peso unitario: 23 mg
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290040
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.