STMicroelectronics MOSFET de potencia DeepGATE STripFET VII
Los MOSFET de potencia DeepGATE™ STripFET VII de STMicroelectronics son MOSFET de potencia de canal N con calificación AEC-Q101 con calificación para automoción que combinan la mejor resistencia de estado de activación de su clase con una carga de compuerta y capacitancias internas bajas, lo que mejora la eficiencia de la conducción y la conmutación. Disponibles en paquetes estándar de la industria TO-220 o H2PAK de 2 o 6 conductores, estos dispositivos ayudan a los diseñadores a reducir el tamaño de la placa y maximizar la densidad de la potencia. Los MOSFET STH315N10F7 ofrecen además una gran resistencia a avalanchas para sobrevivir en condiciones potencialmente perjudiciales. Con una potencia nominal de 100 V, estos MOSFET DeepGATE STripFET VII proporcionan un margen de seguridad adecuado para soportar las sobretensiones típicas. Los MOSFET DeepGATE STripFET VII STH315N10F7 son también adecuados para un rendimiento de alta resistencia en aplicaciones de automoción y conmutación.Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK industry-standard packages, the STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs help designers reduce board size and maximize power density.
Características
- AEC-Q101 qualified
- Ultra-low RDS(on)
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK packages
Aplicaciones
- Switching applications
Especificaciones
- 2.3mΩ maximum drain-source on-resistance (RDS(on))
- 100V drain-source voltage (VDS)
- ±20V gate-source voltage (VGS)
- 180A continuous drain current (ID)
- 720A pulsed drain current (IDM)
- 315W total dissipation at TC = +25°C (PTOT)
- 2.1W/°C derating factor
- 1J single pulse avalanche energy (EAS)
- -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range (Tj, Tstg)
Vídeos
View Results ( 3 ) Page
| Número de referencia | Hoja de datos | Empaquetado / Estuche | Estilo de montaje |
|---|---|---|---|
| STH315N10F7-6 | ![]() |
TO-263-7 | SMD/SMT |
| STH315N10F7-2 | ![]() |
H2PAK-2 | SMD/SMT |
| STP315N10F7 | ![]() |
TO-220-3 | Through Hole |
Publicado: 2014-07-10
| Actualizado: 2022-03-11

