MOSFET de potencia DeepGATE STripFET VII

Los MOSFET de potencia DeepGATE™ STripFET VII de STMicroelectronics son MOSFET de potencia de canal N con calificación AEC-Q101 con calificación para automoción que combinan la mejor resistencia de estado de activación de su clase con una carga de compuerta y capacitancias internas bajas, lo que mejora la eficiencia de la conducción y la conmutación. Disponibles en paquetes estándar de la industria TO-220 o H2PAK de 2 o 6 conductores, estos dispositivos ayudan a los diseñadores a reducir el tamaño de la placa y maximizar la densidad de la potencia. Los MOSFET STH315N10F7 ofrecen además una gran resistencia a avalanchas para sobrevivir en condiciones potencialmente perjudiciales. Con una potencia nominal de 100 V, estos MOSFET DeepGATE STripFET VII proporcionan un margen de seguridad adecuado para soportar las sobretensiones típicas. Los MOSFET DeepGATE STripFET VII STH315N10F7 son también adecuados para un rendimiento de alta resistencia en aplicaciones de automoción y conmutación.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
2.895En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
889En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube