MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A 1En existencias
600Pedido
Cinta extraída
18,08 €
13,50 €
11,68 €
Bobina
11,06 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600
SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 443En existencias
23,84 €
19,08 €
16,50 €
15,63 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 181En existencias
600Fecha prevista: 23/07/2027
17,22 €
10,20 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package 478En existencias
1.000Fecha prevista: 10/09/2027
Cinta extraída
11,70 €
6,66 €
6,64 €
Bobina
6,28 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 187En existencias
12,16 €
8,14 €
7,55 €
6,42 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package 869En existencias
Cinta extraída
11,42 €
8,51 €
7,10 €
6,32 €
Bobina
5,90 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 560En existencias
600Fecha prevista: 30/07/2027
12,03 €
9,17 €
7,64 €
6,81 €
6,36 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 457En existencias
9,71 €
5,31 €
4,86 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 429En existencias
11,42 €
8,51 €
7,10 €
6,32 €
5,90 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package 1.394En existencias
Cinta extraída
8,64 €
5,90 €
4,87 €
4,33 €
4,06 €
Bobina
4,06 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800
SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package 19En existencias
1.200Fecha prevista: 29/10/2026
Cinta extraída
19,15 €
14,30 €
12,38 €
Bobina
11,71 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600
SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package 14En existencias
1.200Pedido
17,22 €
11,18 €
9,89 €
9,10 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 43En existencias
600Pedido
16,30 €
10,14 €
9,51 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 20En existencias
1.200Pedido
11,87 €
7,93 €
7,46 €
6,69 €
6,29 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A 543En existencias
1.000Fecha prevista: 02/07/2027
Cinta extraída
11,32 €
8,44 €
7,03 €
6,26 €
Bobina
5,86 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 4.893En existencias
Cinta extraída
2,91 €
1,45 €
1,32 €
1,07 €
1,05 €
Bobina
0,972 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 6En existencias
1.000Fecha prevista: 03/09/2027
Cinta extraída
14,16 €
8,49 €
Bobina
7,93 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package 8En existencias
1.800Fecha prevista: 10/06/2027
Cinta extraída
9,65 €
6,82 €
5,68 €
5,07 €
4,73 €
Bobina
4,73 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800
SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 14En existencias
600Fecha prevista: 30/04/2027
12,03 €
9,17 €
7,64 €
6,81 €
6,36 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
1.200Fecha prevista: 06/08/2027
Cinta extraída
26,51 €
21,22 €
18,35 €
Bobina
17,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600
SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
1.985Pedido
Cinta extraída
23,19 €
18,57 €
16,06 €
15,20 €
Bobina
14,21 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
1.997Fecha prevista: 16/04/2027
Cinta extraída
15,79 €
9,78 €
9,65 €
Bobina
8,91 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
998Fecha prevista: 04/06/2027
Cinta extraída
19,83 €
12,87 €
12,85 €
12,14 €
Bobina
11,34 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
600Fecha prevista: 05/11/2027
16,06 €
12,24 €
10,20 €
8,49 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
300Fecha prevista: 07/05/2027
Cinta extraída
12,33 €
9,39 €
7,83 €
Bobina
6,97 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600
SiC MOSFETS