MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Hoja de datos
12En existencias
600Fecha prevista: 14/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Hoja de datos
2.309En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Hoja de datos
1.597En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
58En existencias
1.200Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
596En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
453En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
352En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Hoja de datos
364En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
839En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
246En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Hoja de datos
339En existencias
600Fecha prevista: 29/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
487En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
517En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
481En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Hoja de datos
1.414En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
11En existencias
1.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
45En existencias
1.000Fecha prevista: 23/07/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
80En existencias
1.200Fecha prevista: 05/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
48En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
49En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
40En existencias
1.200Fecha prevista: 29/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
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822En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Hoja de datos
440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Hoja de datos
357En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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5.393En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel