MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A 252En existencias
600Fecha prevista: 16/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A 969En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 2.329En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 2.681En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package 922En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package 274En existencias
600Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package 739En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 513En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel

STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 502En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package 1.082En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package 1.011En existencias
600Fecha prevista: 14/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 547En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 641En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package 1.779En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 14En existencias
2.000Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package 37En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package 160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 202En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package 532En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 353En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 698En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 629En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 473En existencias
1.200Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A 142En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A 57En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel