Infineon Technologies IGBT TRENCHSTOP™ 5

Los IGBT TRENCHSTOP™5 de Infineon son la última generación de IGBT (transistores bipolares de compuerta aislada) de placa fina que ofrecen pérdidas de conducción y conmutación significativamente más bajas en comparación con las actuales soluciones líderes. No hay otro IGBT en el mercado que pueda compararse al rendimiento del TRENCHSTOP™5. Están diseñados para aplicaciones en las que la conmutación supera los 10 kHz. El grosor de la capa se ha reducido en más de un 25%, lo que permite una drástica mejora tanto en las pérdidas de conmutación como en las de conducción, si bien ofrece una tensión excelente de 650 V. Este salto cuantitativo de eficiencia ofrece nuevas oportunidades de exploración a los diseñadores.

Características

  • 650V breakthrough voltage
  • Compared to 'HighSpeed 3' family:
    • Factor 2.5 lower Qg
    • Factor 2 reduction in switching losses
    • 200mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Infineon Technologies’s new 'Rapid' Si-diode technology
  • Low Coss/Eoss
  • Mild positive temperature coefficient VCE(sat)
  • 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
  • Temperature stability of VF
  • Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
  • Higher power density designs

Aplicaciones

  • PFC + PWM topologies in:
    • Welding
    • UPS
    • Solar

Vídeos

Publicado: 2012-12-07 | Actualizado: 2025-10-01