TRENCHSTOP™ 5 S5 Medium Speed Switching IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5 Medium Speed Switching IGBTs are the link between the L5 and H5 and address applications switching between 10kHz and 40kHz. The IGBTs deliver high efficiency, faster time to market cycles, circuit design complexity reduction, and PCB bill of material cost optimization. Infineon S5 IGBTs are packed with features to help designers achieve goals without the need to increase circuit complexity.

Resultados: 17
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
552En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
709En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
376En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
234En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Hoja de datos
48En existencias
3.120Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
3.326En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Hoja de datos
710En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 H5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
65En existencias
1.000Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Hoja de datos
5En existencias
240Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Hoja de datos
Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
191En existencias
240Fecha prevista: 29/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Hoja de datos
372En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
148En existencias
240Fecha prevista: 25/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
142En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
475Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube