TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs are optimized for switching >60kHz to deliver optimum efficiency, bridging the gap between MOSFETs and IGBTs. The F5 series features significantly lower switching losses compared to currently leading solutions. Targeting topologies are boost stages, PFC (AC-DC) stages, and high voltage DC-DC topologies commonly found in applications like uninterruptible power supplies (UPS), inverter welding machines, and switch-mode power supplies. The 650V TRENCHSTOP 5 F5 IGBTs are targeted for low inductance designs in combination with SiC diodes to offer 1% higher efficiency compared to 650V TRENCHSTOP 5 H5 family.

Resultados: 17
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Empaquetado / Estuche Estilo de montaje Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Voltaje puerta-emisor máximo Corriente continua del colector a 25 C Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 761En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 150 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 1.324En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 33En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT 302En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS 498En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETES 2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
720Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 105 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETES Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel