TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs are optimized for switching >60kHz to deliver optimum efficiency, bridging the gap between MOSFETs and IGBTs. The F5 series features significantly lower switching losses compared to currently leading solutions. Targeting topologies are boost stages, PFC (AC-DC) stages, and high voltage DC-DC topologies commonly found in applications like uninterruptible power supplies (UPS), inverter welding machines, and switch-mode power supplies. The 650V TRENCHSTOP 5 F5 IGBTs are targeted for low inductance designs in combination with SiC diodes to offer 1% higher efficiency compared to 650V TRENCHSTOP 5 H5 family.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
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1.691En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
761En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 150 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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Comentarios de Producto
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
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980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 105 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETES
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175En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
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23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETES
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2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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Comentarios de Producto
130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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Comentarios de Producto
302En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
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498En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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344En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
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No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETES
Hoja de datos
Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 105 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube