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IKB40N65EF5ATMA1

Name: Infineon IKB40N65EF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKB40N65EF5ATMA1
Price: 4.41 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IKB40N65EF5ATMA1

Fabr. N.º:

IKB40N65EF5ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBT INDUSTRY

Hoja de datos:

IKB40N65EF5ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,41 €	4,41 €
	2,89 €	28,90 €
	2,10 €	210,00 €
	1,87 €	935,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,74 €	1.740,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	74 A
Pd (disipación de potencia):	250 W
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT5
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Corriente continua del colector Ic Máx.:	74 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de parte #:	IKB40N65EF5 SP001509612
Peso unitario:	1,561 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

IGBT TRENCHSTOP™ 5

Los IGBT TRENCHSTOP™5 de Infineon son la última generación de IGBT (transistores bipolares de compuerta aislada) de placa fina que ofrecen pérdidas de conducción y conmutación significativamente más bajas en comparación con las actuales soluciones líderes. No hay otro IGBT en el mercado que pueda compararse al rendimiento del TRENCHSTOP™5. Están diseñados para aplicaciones en las que la conmutación supera los 10 kHz. El grosor de la capa se ha reducido en más de un 25%, lo que permite una drástica mejora tanto en las pérdidas de conmutación como en las de conducción, si bien ofrece una tensión excelente de 650 V. Este salto cuantitativo de eficiencia ofrece nuevas oportunidades de exploración a los diseñadores.
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TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs are optimized for switching >60kHz to deliver optimum efficiency, bridging the gap between MOSFETs and IGBTs. The F5 series features significantly lower switching losses compared to currently leading solutions. Targeting topologies are boost stages, PFC (AC-DC) stages, and high voltage DC-DC topologies commonly found in applications like uninterruptible power supplies (UPS), inverter welding machines, and switch-mode power supplies. The 650V TRENCHSTOP 5 F5 IGBTs are targeted for low inductance designs in combination with SiC diodes to offer 1% higher efficiency compared to 650V TRENCHSTOP 5 H5 family.