Fairchild Semiconductor

IGBT Field Stop de 650 V de Fairchild

La tecnología del IGBT Field Stop de 650 V de Fairchild permite a los diseñadores crear un diseño del sistema mucho más fiable con una mayor tensión de entrada a la vez que ofrecen un rendimiento óptimo en el que tanto la conducción como las pérdidas de conmutación bajas son esenciales. El IGBT de 650 V IGBT cuenta con una capacidad de manipulación de corriente alta, un coeficiente de temperatura positivo, una ajustada distribución de parámetros y una zona de funcionamiento seguro amplia. El aumento de la tensión de ruptura mejora la fiabilidad mientras existen temperaturas ambientes negativas; a medida que disminuye la temperatura la tensión de bloqueo del IGBT y del FRD también disminuye, por lo que este dispositivo es especialmente eficaz para inversores solares FV utilizados en climas más fríos. Como la selección cuidadosa de los IGBT y de los diodos de giro libre es esencial para una eficiencia máxima, el IGBT de 650 V ofrece una recuperación rápida y suave que reduce la disipación de la potencia y consigue unas bajas pérdidas de encendido y apagado.

Recursos adicionales
Aspectos básicos de IGBT Aspectos básicos de IGBT
Obtener más información sobre los CI de potencia industrial de Fairchild
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Los IGBT Field Stop de 650 V FGAFx0n60 de Fairchild utilizan la innovadora tecnología IGBT field stop. Las nuevas series IGBT field stop de Fairchild ofrecen un rendimiento óptimo para inversor solar, UPS, soldador y aplicaciones PFC en los que las pérdidas de conmutación y conducción bajas son fundamentales.


Recursos adicionales
Hoja de datos de FGAF20N60SMD
Hoja de datos de FGAF40N60SMD
Características
  • Maximum Junction Temperature : TJ = 175ºC
  • Coeficiente de temperatura positivo para funcionamiento en paralelo fácil
  • Capacidad de corriente alta
  • Tensión de saturación baja
  • Alta impedancia de entrada
  • Conmutación rápida
  • Distribución de parámetros ajustada
  • Conforme RoHS
 Aplicaciones
  • Máquina de coser
  • CNC
  • Electrodomésticos
  • Control de motores
 

Los IGBT FGD3N60 de 650 V de Fairchild utilizan una tecnología avanzada IGBT NPT. Los IGBT NPT de Fairchild® ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones accionadas con inversor de baja potencia donde las características de resistencia a cortocircuitos y bajas pérdidas son fundamentales.


Recursos adicionales
Hoja de datos de FGD3N60UNDF
IGBT Field Stop de 650 V FGD3N60 de Fairchild
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Características
  • Cortocircuito hasta 10 us
  • Capacidad de corriente alta
  • Alta impedancia de entrada
  • Conmutación rápida
  • Conforme RoHS
 Aplicaciones
  • Máquina de coser
  • CNC
  • Electrodomésticos
  • Control de motor
 

Los IGBT Field Stop de 650 V FGHx0T65 de Fairchild utilizan la innovadora tecnología IGBT field stop trench. Las nuevas series IGBT field stop trench de Fairchild® ofrecen un rendimiento para inversor solar, UPS, soldador y generador de alimentación digital en los que las pérdidas de conmutación y conducción bajas son fundamentales.


Recursos adicionales
Hoja de datos de FGH40T65UPD Datasheet
Hoja de datos de FGH50T65UPD
 IGBT Field Stop FGHx0T65 de 650 V de Fairchild
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Características
  • Máxima temperatura de unión: TJ = 175 ºC
  • Coeficiente de temperatura positivo para funcionamiento en paralelo fácil
  • Capacidad de corriente alta
  • Tensión de saturación baja
  • 100% de las piezas probadas con ILM(2)
  • Alta impedancia de entrada
  • Distribución de parámetros ajustada
  • Conforme RoHS
  • Resistencia frente a cortocircuitos > 5 us @25 ºC
 Aplicaciones
  • Inversor solar
  • SAI
  • Soldador
  • Generador de alimentación digital
  • Telecomunicaciones
  • ESS

El IGBT Field Stop de 650 V FGA30N65SMD de Fairchild utiliza la innovadora tecnología IGBT field stop. Las nuevas series IGBT de 2ª generación field stop de Fairchild ofrecen un rendimiento óptimo para inversor solar, SAI, soldador, calentamiento por inducción, telecomunicaciones, aplicaciones PFC y ESS en los que las pérdidas de conmutación y conducción bajas son fundamentales.


Recursos adicionales
Hoja de datos de FGA30N65SMD

Características
  • Máxima temperatura de unión: TJ = 175 ºC
  • Coeficiente de temperatura positivo para funcionamiento en paralelo fácil
  • Capacidad de corriente alta
  • Tensión de saturación baja: VCE(sat) =1,98 V (típ.) con CI = 30 A
  • Conmutación rápida
  • Distribución de parámetros ajustada
  • Conforme RoHS

 Aplicaciones
  • Inversor solar
  • SAI
  • Soldador
  • PFC
  • Calentamiento por inducción
  • Telecomunicaciones
  • ESS

IGBT Field Stop de 650 V FGA30N65SMD de Fairchild 
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El IGBT Trench Field Stop de 60 A y 650 V FGA6560WDF de Fairchild utiliza una nueva tecnología IGBT field stop. La nueva serie de IGBT de tercera generación field stop ofrece el rendimiento óptimo para aplicaciones de soldador donde se requiere una conducción y pérdidas de conmutación bajas.


Recursos adicionales
Hoja de datos de FGA6560WDF

Características
  • Máxima temperatura de unión: TJ = 175 ºC
  • Coeficiente de temperatura positivo para funcionamiento en paralelo fácil
  • Capacidad de corriente alta
  • Tensión de saturación baja
  • 100% de las piezas probadas con ILM(2)
  • Alta impedancia de entrada
​

  • Distribución de parámetros ajustada
  • Conforme RoHS
  • Resistencia frente a cortocircuitos > 5 us @25 ºC

Aplicaciones
  • Solo para soldador
 IGBT Trench Field Stop de 650 V FGA6560WDF de Fairchild
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