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FGD3N60UNDF

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Mouser REF:

512-FGD3N60UNDF

Fabr. N.º:

FGD3N60UNDF

Fabr.:

onsemi

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	2 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	6 A
Pd (disipación de potencia):	60 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	FGD3N60UNDF
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.:	3 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	10 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	260,370 mg