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FGA6560WDF

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Mouser REF:

512-FGA6560WDF

Fabr. N.º:

FGA6560WDF

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

FGA6560WDF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-3PN
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.8 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	120 A
Pd (disipación de potencia):	306 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FGA6560WDF
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector Ic Máx.:	120 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6,401 g

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Atributos seleccionados: 0

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EOL

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGA6560WDF 650V 60A Field Stop Trench IGBT

ON Semiconductor FGA6560 650V 60A Field Stop Trench IGBT uses novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. The FGA6560 IGBTs offer the optimum performance for welder applications that require low conduction and switching losses.