MOSFET de carburo de silicio CoolSiC™ G2

Los MOSFET de carburo de silicio G2 CoolSiC™ de Infineon Technologies permiten un excelente nivel de rendimiento de SiC al tiempo que cumplen los más altos estándares de calidad en todas las combinaciones de esquemas de alimentación comunes (CA-CC, CC-CC y CC-CA). Los MOSFET de SiC ofrecen un rendimiento adicional para inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos, fuentes de alimentación y accionamientos de motores, en comparación con las alternativas de Si. Los MOSFET CoolSiC G2 de Infineon avanzan aún más en la exclusiva tecnología de interconexión XT (por ejemplo, en las carcasas discretas TO-263-7, TO-247-4) que supera el desafío común de mejorar el rendimiento del chip semiconductor manteniendo la capacidad térmica. La capacidad térmica G2 es un 12 % mejor, lo que aumenta las cifras de mérito del chip a un excelente nivel de rendimiento de SiC.

Resultados: 39
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
1.391En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.071En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 222 A 8.5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 171 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
643En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
710En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
731En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
754En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
725En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
737En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
162En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
171En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
86En existencias
240Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
218En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
5.088En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
511En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
925En existencias
1.000Fecha prevista: 29/10/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 238 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.178En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
222En existencias
240Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
394En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.063En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 103 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
361En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.054En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.189En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
3.648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
136En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC