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IMZA65R050M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R050M2HXKS
Price: 7.21 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMZA65R050M2HXKS

Fabr. N.º:

IMZA65R050M2HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos:

IMZA65R050M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	7,21 €	7,21 €
	4,55 €	45,50 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	62 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	153 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.4 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	7.6 ns
Serie:	650V G2
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	13.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.1 ns
Alias de parte #:	IMZA65R050M2H

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Los MOSFET CoolSiC ™ 650V G2 de Infineon Technologies aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de energía. Los MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon ofrecen ventajas para diversas aplicaciones de semiconductores de potencia, como energía fotovoltaica, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos con CC, accionamientos de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida de CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 permite reducir hasta en un 10 % la pérdida de potencia con respecto a las generaciones anteriores, al tiempo que ofrece una mayor capacidad de carga sin comprometer los factores de forma.

MOSFET de carburo de silicio CoolSiC™ G2

Los MOSFET de carburo de silicio G2 CoolSiC™ de Infineon Technologies permiten un excelente nivel de rendimiento de SiC al tiempo que cumplen los más altos estándares de calidad en todas las combinaciones de esquemas de alimentación comunes (CA-CC, CC-CC y CC-CA). Los MOSFET de SiC ofrecen un rendimiento adicional para inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos, fuentes de alimentación y accionamientos de motores, en comparación con las alternativas de Si. Los MOSFET CoolSiC G2 de Infineon avanzan aún más en la exclusiva tecnología de interconexión XT (por ejemplo, en las carcasas discretas TO-263-7, TO-247-4) que supera el desafío común de mejorar el rendimiento del chip semiconductor manteniendo la capacidad térmica. La capacidad térmica G2 es un 12 % mejor, lo que aumenta las cifras de mérito del chip a un excelente nivel de rendimiento de SiC.