SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche

IXYS MOSFET de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET 4.196En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet 548En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A SM SCHOTTKY 713En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS MOSFET de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC 1.927En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY 74En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Screw Mount SOT-227B

Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 120A SM SCHOTTKY
99Fecha prevista: 25/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Screw Mount SOT-227B
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101 No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)