LSIC2SD065D20A

Littelfuse
576-LSIC2SD065D20A
LSIC2SD065D20A

Fabr.:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A SM SCHOTTKY

Modelo ECAD:
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En existencias: 713

Existencias:
713 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
29 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
7,34 € 7,34 €
5,05 € 50,50 €
3,97 € 397,00 €
3,37 € 1.685,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
3,37 € 2.696,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Littelfuse
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-2 (TO-263-2)
Single
20 A
650 V
1.8 V
95 A
100 uA
- 55 C
+ 175 C
LSIC2SD
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Littelfuse
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica: 800
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes

Littelfuse LSIC2SD GEN2 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved efficiency, reliability, and thermal management in various applications. The diodes have an operating junction temperature of +175°C maximum. The positive temperature coefficient of the diodes supports safe operation and ease of paralleling. Other features of the Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes include high-surge capability and negligible reverse recovery current. The switching behavior of the diodes is extremely fast and temperature-independent. Compared to Si bipolar diodes, these diodes provide dramatically reduced switching losses. LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes are ideal for EV charging stations, solar inverters, switch-mode power supplies, and more. These diodes are available in a variety of packages and voltage/current ratings, including 650V (6A to 40A) and 1200V (5A to 40A).