Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi MOSFET T6 40V SO8FL 1.112En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms 20 V 2 V 143 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.341En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.341En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V S08FL 1.350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL S08FL 875En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL S08FL 1.350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL 1.349En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL 1.323En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 1.323En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 1.350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V S08FL 1.339En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 4.7 mOhms 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V S08FL 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 1.246En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 28 A 26 mOhms 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.314En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.287En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 1.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 30V NCH 1.341En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 3.4 mOhms 20 V 2.1 V 26 nC - 55 C + 175 C 36.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL 3.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 1.4 MOHMS LL 1.332En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 2.5 MOHMS LL 1.350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 2.8 MOHMS LL 1.348En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape