NVMFS4C303NET1G

onsemi
863-NVMFS4C303NET1G
NVMFS4C303NET1G

Fabr.:

Descripción:
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,33 € 1,33 €
0,843 € 8,43 €
0,56 € 56,00 €
0,439 € 219,50 €
0,355 € 355,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
0,332 € 498,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Estados Unidos
El país puede cambiar en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.