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NVMFS4C306NET1G

Name: onsemi NVMFS4C306NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C306NET1G
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMFS4C306NET1G

Fabr. N.º:

NVMFS4C306NET1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET TRENCH 30V NCH

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,09 €	1,09 €
	0,685 €	6,85 €
	0,453 €	45,30 €
	0,358 €	179,00 €
	0,322 €	322,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,294 €	441,00 €
	0,267 €	801,00 €
	0,255 €	2.295,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	71 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.1 V
Qg (carga de compuertas):	26 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	36.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	28 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8 ns

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Hoja de datos

NVMFS4C306NET1G Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.