EPC Semiconductores

Resultados: 137
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 4.990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302 3En existencias
4Fecha prevista: 31/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
20.000Fecha prevista: 08/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
30.000Fecha prevista: 08/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
15.000Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
15.000Fecha prevista: 08/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
15.000Fecha prevista: 08/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/3A
10Fecha prevista: 31/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
7.500Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
3.000Fecha prevista: 08/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
4.998Fecha prevista: 20/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2.500Fecha prevista: 08/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
2.500Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
7.500Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
12.500Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 80V/10A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 350V/4A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 80V/40A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/25A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 200V/8A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 40V/25A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/45A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 80V/25A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/5A No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 40
Múlt.: 1