StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP3006PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube