StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

Resultados: 27
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 5.093En existencias
400Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 780En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 282 A 1.2 mOhms 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1.909En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TISON-8 6.660En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.2 mOhms, 4.2 mOhms 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 16.756En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12.2 mOhms 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC 3.930En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 4.6 mOhms 20 V 1.8 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 1.176En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 2 Channel 100 V 11 A 72.5 mOhms 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 1.007En existencias
800Fecha prevista: 01/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 75 V 195 A 1.85 mOhms 20 V 4 V 380 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 14.370En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB 48.819En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1.573En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC 3.228En existencias
20.800Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC 1.644En existencias
12.000Fecha prevista: 03/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 522 A 750 mOhms 20 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 1.078En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 1.8 mOhms 20 V 3.9 V 225 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg 11.014En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 79 A 7.1 mOhms 20 V 1.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl 3.052En existencias
3.200Fecha prevista: 12/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 101En existencias
6.400Fecha prevista: 05/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 669En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 3.190En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 174En existencias
2.800Fecha prevista: 17/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 451En existencias
15.000Fecha prevista: 11/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W 998En existencias
1.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
56.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.1 mOhms 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
1.575Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel