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IRFP3006PBFXKMA1

Name: Infineon IRFP3006PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFP3006PBFXKMA1
Price: 2.66 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser REF:

726-IRFP3006PBFXKMA1

Fabr. N.º:

IRFP3006PBFXKMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IR FET UP TO 60V

Hoja de datos:

IRFP3006PBFXKMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247AC-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	195 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	200 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de caída:	189 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	182 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	400
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	118 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	16 ns
Alias de parte #:	IRFP3006PBFXKMA1 SP005732687

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Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.