QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Resultados: 41
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Hoja de datos
129En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
Qorvo FET de GaN DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Hoja de datos
375En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo FET de GaN DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Hoja de datos
25En existencias
25Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Hoja de datos
61En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Hoja de datos
53En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
Qorvo FET de GaN DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Hoja de datos
54En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo FET de GaN 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Hoja de datos
16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Hoja de datos
16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Hoja de datos
33En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Hoja de datos
244En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 45W GaN 48V
Hoja de datos
68En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo FET de GaN DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo FET de GaN DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Hoja de datos
25En existencias
25Fecha prevista: 09/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo FET de GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Hoja de datos
100En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo FET de GaN .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Hoja de datos
141En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo FET de GaN 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
Hoja de datos
29En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo FET de GaN 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Hoja de datos
5En existencias
700Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo FET de GaN DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Hoja de datos
45Fecha prevista: 24/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo FET de GaN DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo FET de GaN 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

SMD/SMT NI400-2 N-Channel - 40 C
Qorvo FET de GaN DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 275 C 288 W
Qorvo FET de GaN DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 250 C 288 W
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100

Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100

Die N-Channel