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QPD1015

Name: Qorvo QPD1015
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1015
Price: 350.48 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-QPD1015

Fabr. N.º:

QPD1015

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

Hoja de datos:

QPD1015 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	350,48 €	350,48 €
	332,75 €	3.327,50 €
	290,06 €	7.251,50 €
250	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	NI-360
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	50 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 2.8 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Pd (disipación de potencia):	64 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD1015PCB401
Ganancia:	20 dB
Frecuencia operativa máxima:	3.7 GHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	70 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1015
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	145 V

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.