Resultados: 34
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Hoja de datos
20.578En existencias
15.000Fecha prevista: 05/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
Hoja de datos
4.619En existencias
5.000Fecha prevista: 09/04/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 46 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 15 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
1.671En existencias
2.000Fecha prevista: 26/02/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 185 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
3.262En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 330 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS Power-Transistor,60V
Hoja de datos
400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 84 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Hoja de datos
2.990Fecha prevista: 12/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
10.000Fecha prevista: 23/04/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube