Resultados: 36
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1.553En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4.762En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2.842En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 399 A 1.1 Ohms 20 V 3.3 V 110 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2.425En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 330 A 1.05 mOhms 20 V 3.3 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4.063En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package 7.890En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 276 A 1.3 mOhms 20 V 3.3 V 90 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package 3.524En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 259 A 1.5 mOhms 20 V 3.3 V 70 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 2.831En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4.019En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 427 A 1.2 mOhms 20 V 2.8 V 171 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4.165En existencias
9.000Fecha prevista: 22/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5.292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 800 uOhms 20 V 3.6 V 185 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 2.925En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2.514En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2.776En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5.268En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 9.093En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 275 A 1.55 mOhms 20 V 3.45 V 90 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3.195En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 43.253En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 113.485En existencias
95.000Fecha prevista: 04/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 7.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB 48.829En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 87En existencias
6.000Fecha prevista: 11/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 290En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 394 A 1.47 mOhms 20 V 2.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 339 A 1.72 mOhms 20 V 2.8 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 7.437En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 9.351En existencias
40.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel