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IQFH61N06NM5ATMA1

Name: Infineon IQFH61N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQFH61N06NM5ATMA
Price: 6.22 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-IQFH61N06NM5ATMA

Fabr. N.º:

IQFH61N06NM5ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IQFH61N06NM5ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 2.990

Fecha prevista: 05/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 8

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Precio total:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,22 €	6,22 €
	4,60 €	46,00 €
	3,72 €	372,00 €
	3,31 €	1.655,00 €
	3,21 €	3.210,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	2,72 €	8.160,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSON-12
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	510 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.8 V
Qg (carga de compuertas):	190 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	27 ns
Transconductancia delantera: mín.:	160 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	78 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	36 ns
Alias de parte #:	IQFH61N06NM5 SP005634650

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia 5 OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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