CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.

Resultados: 30
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
344En existencias
240Fecha prevista: 31/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
Hoja de datos
35En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
Hoja de datos
35En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
162En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
80En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
264En existencias
750Fecha prevista: 15/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
54En existencias
1.000Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
47En existencias
1.000Fecha prevista: 21/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
167En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
167En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.174En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
443En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
475En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 85 A 20 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
436En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
476En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 65.6 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 104 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 124 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
1.283En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
544En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
1.215En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
748En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.085En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC