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IMDQ75R050M2HXTMA1

Name: Infineon IMDQ75R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMDQ75R050M2HXTM
Price: 6.41 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMDQ75R050M2HXTM

Fabr. N.º:

IMDQ75R050M2HXTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IMDQ75R050M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,41 €	6,41 €
	4,52 €	45,20 €
	3,77 €	377,00 €
	3,31 €	1.655,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 750)
	2,98 €	2.235,00 €
4.500	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-HDSOP-22
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	65 mhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	24 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	148 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	11 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	CoolSiC G2
Cantidad del paquete de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	13 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Alias de parte #:	IMDQ75R050M2H SP006089229

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IMDQ75R050M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.